MicroLEDの3つの実装

MicroLEDは現在3つのプロセスを認識しており、最速のフィルム転写技術を使用することが期待されています

MicroLED技術プロセスは、チップレベル溶接エピタキシャル溶接と、異なる実装方法によるフィルム転写とに分けることができる。

チップボンディング（チップボンディング）：LEDを直接MicroLEDマイクロチップに切断した後、SMT技術またはCOB技術を使用してMicroLEDマイクロチップをディスプレイ基板に1つずつ接続します。

エピタキシャルウェーハボンディング：LEDのエピタキシャル薄膜層上のマイクロスケールマイクロLEDエピタキシャル薄膜構造からの直接的な誘導結合プラズマイオンエッチング（ICP）、次いでLEDウェーハ（エピタキシャル層および基板を含む）駆動回路基板に直接接合され、最後に、物理的又は化学的機構を用いて基板が剥離され、駆動回路基板上にマイクロLEDエピタキシャル薄膜構造のみが残り、表示素子が形成される。

薄膜転写：LED基板を剥離して仮基板を用いてLEDエピタキシャル薄膜層を搬送し、次に誘導結合プラズマエッチングを行うことにより、マイクロレベルのマイクロLEDエピタキシャル薄膜構造が形成される。 または誘導結合プラズマイオンエッチングを使用して、ミクロンサイズのMicroLEDエピタキシャル薄膜を形成することによって形成することができる。 この構造は、LED基板を剥がすことによって、一時的な基板を通してLEDエピタキシャル薄膜構造を運ぶ。

図：マイクロLEDの異なるプロセス技術の特徴

現在、ソニーに代表されるマイクロLED大画面アプリケーションは、主にチップレベルの溶接方法を採用しています。 Appleは中小型ディスプレイに適した薄膜転写技術を推進しています。 ここでは、Appleが採用するフィルム転写技術のみを紹介します。MicroLEDフィルム転写技術の流れは、1）MicroLEDチップの準備、 2）MicroLEDチップ転写; 3）TFT基板とドライバICを実装して製品パッケージを完成させます。

MicroLEDチップの準備、フリップチッププロセスはトレンドです

MicroLEDチップの準備プロセスは、従来のLEDチップのプロセスと似ています。 青緑色光チップは、製造プロセスを導入するための例としてのみ使用されています.SSSパターン基板、LEDエピタキシャル成長、およびサファイア基板材料上のチップ処理などの技術プロセスを実行することによってLEDチップが製造される。 MicroLEDチップは、通常のLEDチップよりもはるかに小さい（数ミクロン）が、既存のエッチング技術はマイクロメートルレベルのチップを完全に扱うことができ、技術的に大きな困難はない。 以下は、LEDチップ成長の各リンクの簡単な紹介です：

サファイア基板成長エピタキシャルウェーハ（青緑色LEDチップ）

まず、サファイア材料をPSS基板上にパターニングする。 このステップの目的は、サファイア基板の表面上に規則的に配列された円錐をエッチングして、チップの外光抽出を達成することによって、基板内の光の多重反射を実現することである。 光効率。 その後、アンドープバッファ層（U-GaN）、N型窒化ガリウム（N-GaN）、活性層（MQWs、多重量子井戸）、P型窒化ガリウム層（P-GaN） PSS層上に順次成長させる。 ）。